1. FDZ3N513ZT
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  3. FDZ3N513ZT

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDZ3N513ZT 

产品描述

MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode

内部编号

3-FDZ3N513ZT

#1

数量:25969
1+¥5.7017
25+¥5.3164
100+¥5.0853
500+¥4.8541
1000+¥4.623
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:2742
1+¥8.4787
10+¥6.7693
100+¥5.2445
500+¥4.636
1000+¥3.6582
3000+¥3.2342
6000+¥3.1727
24000+¥2.8855
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:2757
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDZ3N513ZT产品详细规格

规格书 FDZ3N513ZT datasheet 规格书
FDZ3N513ZT
FDZ3N513ZT datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Schottky, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.1A
Rds(最大)@ ID,VGS 462 mOhm @ 300mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 1nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 85pF @ 15V
功率 - 最大 1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 4-UFBGA, WLCSP
供应商器件封装 4-WLCSP (1x1)
包装材料 Tape & Reel (TR)

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